შეწირულობა 15 სექტემბერს 2024 – 1 ოქტომბერს 2024
თანხის შეგროვების შესახებ
წიგნების ძებნა
წიგნები
შეწირულობა:
22.6% ამოწურულია
შესვლა
შესვლა
ავტორიზებულ მომხმარებლებს აქვთ წვდომა:
პერსონალური რეკომენდაციები
Telegram ბოტი
ჩამოტვირთვის ისტორია
გაგზავნეთ Email-ზე ან Kindle-ზე
კრებულების მართვა
შენახვა რჩეულებში
პირადი
წიგნის მოთხოვნა
შესწავლა
Z-Recommend
წიგნების სარჩევი
ყველაზე პოპულარული
კატეგორია
მონაწილეობა
დახმარება
ატვირთვები
Litera Library
ქაღალდის წიგნების შეწირვა
ქაღალდის წიგნების დამატება
Search paper books
LITERA Point-ის გახსნა
საკვანძო სიტყვების ძებნა
Main
საკვანძო სიტყვების ძებნა
search
1
Halbleitertechnologie
Vieweg+Teubner Verlag
Dr. rer. nat. W. Harth (auth.)
bild
gaas
vgl
verfahren
silizium
schicht
halbleiter
diffusion
herstellung
schmelze
si0
substrat
storstellen
epitaxie
verwendet
bzw
obergang
obergange
oberflache
seiten
temperatur
dotierung
erfolgt
schichten
konzentration
kontakt
kontakte
schottky
technologie
losung
uber
ergibt
widerstand
diffusionskonstante
funktion
gate
hergestellt
integrierten
ionen
raumladungszone
schaltungen
wahrend
obergangen
reinigung
z.b
darin
weite
dotierungsstoffe
entsteht
halbleiters
წელი:
1981
ენა:
german
ფაილი:
PDF, 2.12 MB
თქვენი თეგები:
0
/
0
german, 1981
1
მიჰყევით
ამ ბმულს
ან Telegram-ში მოძებნეთ „@BotFather“ ბოტი
2
გაგზავნეთ ბრძანება /newbot
3
შეიყვანეთ თქვენი ბოტის სახელი
4
შეიყვანეთ მომხმარებლის სახელი ბოტისთვის
5
დააკოპირეთ BotFather-ისგან ბოლო შეტყობინება და ჩასვით აქ
×
×