შეწირულობა 15 სექტემბერს 2024 – 1 ოქტომბერს 2024
თანხის შეგროვების შესახებ
წიგნების ძებნა
წიგნები
შეწირულობა:
19.9% ამოწურულია
შესვლა
შესვლა
ავტორიზებულ მომხმარებლებს აქვთ წვდომა:
პერსონალური რეკომენდაციები
Telegram ბოტი
ჩამოტვირთვის ისტორია
გაგზავნეთ Email-ზე ან Kindle-ზე
კრებულების მართვა
შენახვა რჩეულებში
პირადი
წიგნის მოთხოვნა
შესწავლა
Z-Recommend
წიგნების სარჩევი
ყველაზე პოპულარული
კატეგორია
მონაწილეობა
დახმარება
ატვირთვები
Litera Library
ქაღალდის წიგნების შეწირვა
ქაღალდის წიგნების დამატება
Search paper books
LITERA Point-ის გახსნა
საკვანძო სიტყვების ძებნა
Main
საკვანძო სიტყვების ძებნა
search
1
Комментарий к ФЗ О социальных гарантиях и компенсациях военнослужащим, проходящим военную службу в воинских формированиях РФ, дислоцированных на территориях Республики Белоруссия, Республики Казахстан и Киргизской Республики, а также лицам...
Юстицинформ
Петров М.И.
российской
федерации
воинских
республики
казахстан
обороны
вооруженных
территории
службы
военной
военнослужащих
службу
военнослужащим
военную
формирований
персонала
соответствии
управления
труда
органов
гражданского
министерства
частей
военного
полигона
должности
воинские
порядке
состав
войск
лиц
белоруссия
безопасности
начальник
обеспечения
формированиях
законом
воинской
заместитель
местностях
оплаты
министерством
законодательством
киргизской
контракту
федерацией
дислоцированных
лицам
территориях
условиях
წელი:
2009
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 564 KB
თქვენი თეგები:
0
/
0
russian, 2009
2
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
წელი:
2001
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 503 KB
თქვენი თეგები:
0
/
4.5
russian, 2001
3
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Коллектив авторов
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
წელი:
2001
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 503 KB
თქვენი თეგები:
0
/
5.0
russian, 2001
4
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
წელი:
2001
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 505 KB
თქვენი თეგები:
0
/
0
russian, 2001
1
მიჰყევით
ამ ბმულს
ან Telegram-ში მოძებნეთ „@BotFather“ ბოტი
2
გაგზავნეთ ბრძანება /newbot
3
შეიყვანეთ თქვენი ბოტის სახელი
4
შეიყვანეთ მომხმარებლის სახელი ბოტისთვის
5
დააკოპირეთ BotFather-ისგან ბოლო შეტყობინება და ჩასვით აქ
×
×